Научно-исследовательский институт электронной техники – один из ведущих российских производителей ЭКБ. Предприятие специализируется на разработке и производстве сложных изделий микроэлектроники: микроконтроллеров, микропроцессоров, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, интерфейсных интегральных микросхем, СВЧ-транзисторов и модулей усиления мощности СВЧ-диапазона.
Новый проект, к которому приступает НИИЭТ, призван помочь авиапрому нарастить долю российских лайнеров с нынешних 33% до 81% и осуществить поставки 1036 самолетов для нужд гражданской авиации. Также есть необходимость в организации полного цикла технического обслуживания и ремонта воздушных судов силами отечественных предприятий с учетом их обязательств по осуществлению поставок воздушных судов, комплектующих и запасных частей к ним. Для этого требуется проведение полного импортозамещения ЭКБ, используемой в бортовом радиоэлектронном оборудовании (БРЭО), которая в значительной степени состоит из изделий зарубежного производства. Реализация нового комплексного проекта «Разработка и освоение серийного производства серии импульсных LDMOS-транзисторов с выходной мощностью до 1000 Вт для авионики и радарных систем в UHF, L и S диапазонах частот» позволит эту задачу частично решить.В рамках проекта специалисты воронежского НИИ электронной техники» создадут серию из 5 мощных импульсных транзисторов, оптимизированных для работы в определенном диапазоне рабочих частот, характерном для конкретной системы авиационного бортового оборудования.
Новые транзисторы будут применяться:
- В усилителях мощности систем бортового радионавигационного оборудования воздушных судов, обеспечивающего безопасность посадки в метеорологических условиях, не обеспечивающих безопасного визуального захода на посадку.
- В усилителях мощности радиотехнической системы ближней навигации (РСБН).
- В усилителях мощности обзорных радиолокационных станций авиационного и наземного базирования.- В усилителях мощности авиационной системы государственного опознавания. - В усилителях мощности радиолокационных станциях S-диапазона, в том числе - метеорологических.
Применение в составе аппаратуры разрабатываемых в рамках данного комплексного проекта отечественных мощных СВЧ LDMOS-транзисторов позволит достичь более высоких энергетических параметров, в первую очередь – высокую выходную импульсную мощность. Сегодня не существует отечественных транзисторов, способных выдавать высокую выходную мощность на характерных для авиационного БРЭО диапазона частот с требуемым уровнем коэффициента полезного действия и усиления. Между тем, высокая выходная мощность позволяет увеличить дальность действия радиолокационных средств либо сократить число используемых в них усилительных элементов, благодаря чему произойдет уменьшение габаритов и массы оборудования, что очень важно в авиационном применении. В сравнении с применением зарубежных аналогов – меньшая стоимость конечного изделия, отсутствие риска срыва поставок из-за санкций.
Кроме того, в институте продолжается активная работа по созданию LDMOS- транзисторов для усилителей телевизионных сигналов, передовые характеристики создаваемых новинок позволят улучшить с их помощью параметры другой радиоаппаратуры.
В конце прошлого года транзисторы успешно прошли тестовые испытания. Изделия отличает значительно усовершенствована конструкция транзисторных кристаллов и доработанная технология их изготовления.
Основные энергетические параметры новинки:
· коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ,
· коэффициент полезного действия стока – не менее 45%,
· коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка – не более –30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц.
Новые транзисторы, разработанные в АО «НИИЭТ», характеризуются высокой по современным меркам удельной выходной мощностью и малыми значениями удельных емкостей. Работа по их созданию выполнялась при финансировании в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252.
/ 23.04.2024
